مطالعه خواص اپتیکی ساختارهای مغناطو-فوتونی به منظور طراحی ایزولاتور اپتیکی در مخابرات نوری
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
- نویسنده فاطمه عبادی
- استاد راهنما عبدالرحمن نامدار
- سال انتشار 1391
چکیده
برهمکنش بین نور و ماده ی مغناطیسی می تواند باعث پدیده های مغناطواپتیکی بسیاری شود، از جمله ی آن ها می توان به چرخش فارادی و کر اشاره کرد. برای بدست آوردن اثر مغناطواپتیکی می توان از مواد مغناطیسی نوع حجیم استفاده نمود، ولی این چنین اندازه های بزرگ برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری (ایزولاتورهای اپتیکی) که دارای اندازه های کوچک هستند مناسب نیستند. یکی از روش ها برای افزایش اثرهای مغناطواپتیکی عبارت از بکار بردن مواد مغناطیسی در ساختارهای بلورهای فوتونی می باشد. اگر حداقل یکی از لایه های تشکیل دهنده ی بلور فوتونی ماده ای با خاصیت مغناطیسی باشد در این صورت بلورهای فوتونی را بلورهای مغناطوفوتونی می نامند. در این پروژه ابتدا طیف تراگسیل و زاویه ی چرخش فارادی در بلورهای مغناطوفوتونی با یک لایه نقص مغناطیسی را بررسی می کنیم. نتایج محاسبات عددی نشان داد که با افزایش تعداد تناوب لایه ها چرخش فاردای افزایش و طیف تراگسیل کاهش می یابد. همچنین مشاهده کردیم که طول موج مد نقص را می توان با تغییر پارامتر ساختاری لایه نقص (ضخامت لایه نقص) تنظیم نمود. سپس ساختار شامل سه لایه ی نقص از دو ماده ی مغناطیسی مختلف را در نظر می گیریم. مطالعه طیف تراگسیلی و زاویه ی چرخش فارادی در این ساختار نشان داد که هر مد نقص مغناطواپتیکی را می توان به طور مستقل با تنظیم پارامترهای ساختاری مواد مغناطیسی تعیین کرد. در مرحله آخر طیف تراگسیلی و چرخش فارادی را در ساختار شامل نقص های متعدد مطالعه و وابستگی مدهای نقص و چرخش فارادی را به پارامترهای ساختارهای لایه های نقص را گزارش نمودیم. همچنین نشان می دهیم که می توان در چنین ساختارهایی زاویه ی چرخش فارادی بزرگ را بدست آورد. نتایج حاصل حاکی از این است که می توان از این ساختارها برای طراحی ایزولاتورهای مغناطواپتیکی چند کاناله استفاده نمود.
منابع مشابه
خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور gap
وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...
متن کاملبررسی نقش نیتروژن در بازده اپتیکی نانو ساختار InGaNAs به منظور به کارگیری آن در صنعت اپتوالکترونیک و مخابرات نوری
Recently, the quaternary InGaAsN alloy system has attracted a great deal of attention due to its potential application in devices such as next generation multi-junction solar cells and optoelectronic devices for example laser diodes for optical communications in IR region. In this paper, we have investigated the role of nitrogen on the improvement of optical efficiency in InGaNAs nanostructur...
متن کاملبررسی نقش نیتروژن در بازده اپتیکی نانو ساختار inganas به منظور به کارگیری آن در صنعت اپتوالکترونیک و مخابرات نوری
در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...
متن کاملخواص نوری- مغناطیسی و ضرایب اپتیکی لایههای نازک منگنز-کبالت
Having precise hysterics loop of thin ferroelectric and ferromagnetic layers for optical switching and optical storages are important. A hysterieses loop can be achieved from a phenomenon call the magneto-optic effect. The magneto-optic effect is the rotation of a linear polarized electromagnetic wave propagated through a ferromagnetic medium. When light is transmitted through a layer of magnet...
متن کاملطراحی فرامواد گرافینی با قابلیت تنظیم خواص اپتیکی
گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (SRR ) و ساختار مکمل حلقه ها (CSRR ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....
متن کاملتأثیر جهتگیری محور اپتیکی بر رفتار گاف باند ناهمسانگرد فوتونی
در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسانگرد یک بعدی با بهرهگیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسانگرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسانگرد ایجاد میشود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسانگرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسانگرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار م...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023